Транзистор P-MOSFET Infineon SPB80P06PGATMA1, -60В, -80А, корпус PG-TO263-3 (5 шт.)
2 010 ₴
- В наличии
- Код: TM114233
Транзистор P-MOSFET Infineon SPB80P06PGATMA1, -60В, -80А, корпус PG-TO263-3 (5 шт.)В наличии
2 010 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
P-MOSFET транзистор Infineon SPB80P06PGATMA1 в корпусе PG-TO263-3. Это униполярный компонент с каналом обогащения, рассчитанный на ток до -80 А и напряжение -60 В. Комплект состоит из 5 единиц.
- Ток стока: -80 А
- Напряжение сток-исток: -60 В
- Мощность рассеивания: 340 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 23 мОм
- Корпус: PG-TO263-3 (SMD)
- Количество в комплекте: 5 шт.
Технические параметры
Транзистор работает с напряжением сток-исток -60 В и выдерживает ток стока -80 А. Мощность рассеивания составляет 340 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 23 мОм.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе PG-TO263-3 с технологией SIPMOS™. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж).
Комплектация
В упаковке находится 5 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 340 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 23 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | PG-TO263-3 |
| Технология | SIPMOS™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 010 ₴