Транзистор IGBT модуль SEMIKRON DANFOSS SKM400GB12E4, 400A, 1200V, корпус SEMITRANS3 (SKM400GB12E4 22892087)

IGBT модуль SEMIKRON DANFOSS SKM400GB12E4 — это полупроводниковый компонент в корпусе SEMITRANS3, предназначенный для мощных электронных систем. Он сочетает высокую токовую нагрузку 400 А и рабочее напряжение до 1200 В, обеспечивая стабильную работу в сложных условиях эксплуатации.

• Ток коллектора 400 А для мощных нагрузок
• Максимальное обратное напряжение 1200 В
• Импульсный ток до 1200 А
• Корпус SEMITRANS3
• Применение в инверторах, UPS и фотоэлектрике
• Монтаж через коннекторы FASTON или болты

Высокая мощность и надежность

Модуль рассчитан на постоянный ток коллектора 400 А, что позволяет использовать его в энергоемких устройствах. Максимальное обратное напряжение составляет 1200 В, что гарантирует защиту от перенапряжений в сетях с высокими требованиями к изоляции. Импульсный ток коллектора может достигать 1200 А, что важно для пусковых режимов и динамических нагрузок.

Универсальное применение

Компонент идеально подходит для инверторов, систем бесперебойного питания (UPS) и оборудования для фотоэлектрики. Топология полумоста со структурой «транзистор/транзистор» упрощает построение силовых каскадов в преобразователях частоты и энергетических установках.

Высокая токовая нагрузка

Модуль рассчитан на постоянный ток коллектора 400 А, что позволяет использовать его в энергоемких устройствах. Максимальное обратное напряжение составляет 1200 В, что гарантирует защиту от перенапряжений в сетях с высокими требованиями к изоляции. Импульсный ток коллектора может достигать 1200 А, что важно для пусковых режимов и динамических нагрузок. Электрическое соединение осуществляется через коннекторы FASTON или болтовые соединения, что упрощает монтаж. Напряжение управления затвор-эмиттер составляет ±20 В, что гарантирует стабильное открывание и закрывание транзисторов.