Транзистор IGBT SEMIKRON DANFOSS SKM400GB125D, 1200 В, 300 А, корпус SEMITRANS3 (SKM400GB125D, 22890626)

IGBT-модуль SEMIKRON DANFOSS SKM400GB125D — это полупроводниковый компонент в корпусе SEMITRANS3, предназначенный для работы в электронных системах управления мощностью. Устройство обеспечивает надежную коммутацию тока и напряжения, что делает его ключевым элементом для промышленного оборудования.

• Топология полумоста IGBT (транзистор/транзистор)
• Максимальное напряжение 1200 В
• Номинальный ток коллектора 300 А
• Импульсный ток до 600 А
• Корпус SEMITRANS3
• Подключение через коннекторы FASTON или болты

Топология и структура

Модуль имеет структуру «транзистор/транзистор» и топологию полумоста IGBT. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 1200 В, а номинальный ток коллектора — 300 А. Такие параметры определяют рабочий диапазон компонента.

Импульсный ток

Импульсный ток коллектора достигает 600 А. Эта характеристика позволяет модулю выдерживать кратковременные пиковые нагрузки.

Управление

Напряжение управления на затворе (gate-emitter) составляет ±20 В. Это значение соответствует типичным уровням сигналов для драйверов IGBT.

Подключение и монтаж

Электрическое подключение осуществляется с помощью коннекторов FASTON или болтовых соединений. Механическая установка выполняется методом прикручивания.

Применение и итог