Транзистор IGBT модуль SEMIKRON DANFOSS SKM150GB12T4, 150А, 1200В, корпус SEMITRANS2 (SKM150GB12T4 22892040)

IGBT модуль SEMIKRON DANFOSS SKM150GB12T4 — это полупроводниковое устройство в корпусе SEMITRANS2, предназначенное для мощных электронных систем. Он объединяет два транзистора в конфигурации полумоста, обеспечивая коммутацию тока до 150 А при напряжении 1200 В.

• Ток коллектора 150 А для стабильной работы под нагрузкой
• Импульсный ток до 450 А для пиковых режимов
• Максимальное обратное напряжение 1200 В
• Корпус SEMITRANS2
• Топология полумоста (транзистор/транзистор)
• Применение: UPS, инверторы, фотоэлектрика

Мощность и надежность коммутации

Модуль имеет номинальный ток коллектора 150 А, что позволяет использовать его в высоковольтных инверторах и источниках питания. Импульсный ток может достигать 450 А, что обеспечивает стабильную работу при пиковых нагрузках. Максимальное обратное напряжение составляет 1200 В, что гарантирует безопасность работы в сетях с высоким потенциалом.

Удобный монтаж и подключение

Механическое крепление модуля осуществляется с помощью болтов (прикручивание). Электрическое подключение реализовано через коннекторы FASTON и болтовые соединения.

Универсальность применения

Структура «транзистор/транзистор» в топологии полумоста делает этот модуль пригодным для систем бесперебойного питания (UPS), промышленных инверторов и солнечных электростанций. Напряжение управления затвором (Gate-Emitter) составляет ±20 В.

Этот модуль подходит для инженеров и техников, которые проектируют или обслуживают мощное электронное оборудование.