Транзистор N-MOSFET Vishay SIHP12N50E-GE3, 500 В, 6,6 А, корпус TO220AB — набор 10 шт.

Транзистор N-MOSFET Vishay SIHP12N50E-GE3 — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для работы при напряжении до 500 В. Прибор рассчитан на постоянный ток 6,6 А и имеет рассеиваемую мощность 114 Вт.

• Тип: N-MOSFET с каналом обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 500 В
• Постоянный ток стока: 6,6 А
• Импульсный ток стока: 121 А
• Рассеиваемая мощность: 114 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 0,38 Ом
• Корпус: TO220AB, монтаж THT
• Упаковка: 10 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с напряжением сток-исток до 500 В и выдерживает импульсный ток до 121 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 0,38 Ом.

Параметры управления затвором

Максимальное напряжение затвор-исток ограничено ±30 В, что определяет допустимый уровень управляющего сигнала. Заряд затвора равен 50 нКл.

Электрические параметры затвора и канала

Компонент выполнен в корпусе TO220AB. Монтаж осуществляется методом выводов в отверстия (THT).