Транзистор N-MOSFET Vishay SIHG73N60E-GE3, 600В, 46А, TO247AC (комплект 2 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay SIHG73N60E-GE3 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 600 В и ток 46 А. Товар поставляется комплектом из 2 штук в корпусе TO247AC для монтажа в отверстия (THT).

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
• Напряжение сток-исток: 600 В
• Ток стока: 46 А
• Мощность рассеивания: 520 Вт
• Корпус: TO247AC, монтаж THT
• Комплектация: 2 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с напряжением сток-исток до 600 В и выдерживает постоянный ток стока 46 А. Мощность рассеивания составляет 520 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 39 мОм, а заряд затвора — 362 нКл.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в стандартном корпусе TO247AC. Тип монтажа THT (through-hole technology) означает, что выводы вставляются в отверстия печатной платы и припаиваются с другой стороны. Максимальное напряжение затвор-исток ограничено значением ±30 В. Тип канала — обогащенный (enhancement mode), что означает отсутствие тока стока при нулевом напряжении на затворе. Символ производителя SIHG73N60E-GE3 идентифицирует конкретную модель в линейке Vishay.