Транзистор N-MOSFET Vishay SIHF644S-GE3, 250В, 8,5А, D2PAK (набор 20 шт.)

Набор из 20 транзисторов Vishay SIHF644S-GE3 типа N-MOSFET в корпусе D2PAK (TO263). Предназначены для поверхностного монтажа (SMD) в электронных устройствах с нагрузкой до 250 В и током до 8,5 А.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, обогащаемый канал
• Напряжение сток-исток: 250 В
• Ток стока: 8,5 А (импульсный до 56 А)
• Рассеиваемая мощность: 125 Вт
• Корпус: D2PAK (TO263), монтаж SMD
• Количество в наборе: 20 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет напряжение сток-исток 250 В и постоянный ток стока 8,5 А. В импульсном режиме ток может достигать 56 А, а рассеиваемая мощность составляет 125 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,28 Ом.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе D2PAK (TO263) для поверхностного монтажа (SMD).

Комплектация

В упаковке поставляется 20 транзисторов Vishay SIHF644S-GE3. Транзистор является униполярным с каналом, обогащаемым типом. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В, а заряд затвора — 68 нКл.