Транзистор P-MOSFET Vishay SIA441DJ-T1-GE3, TrenchFET, -40В, -12А, 30 шт.

Транзистор P-MOSFET Vishay SIA441DJ-T1-GE3 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, выполненный по технологии TrenchFET®. Комплект состоит из 30 штук в корпусе PowerPAK® SC70 для поверхностного монтажа (SMD).

• Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Напряжение сток-исток: -40 В
• Ток стока: -12 А (постоянный), -30 А (импульсный)
• Рассеиваемая мощность: 19 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 65 мОм
• Корпус: PowerPAK® SC70, монтаж SMD
• Комплектация: 30 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток -40 В и постоянный ток стока -12 А. В импульсном режиме допустимый ток стока достигает -30 А, а максимальная рассеиваемая мощность составляет 19 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 65 мОм, что обеспечивает эффективную работу при коммутации.

Технология TrenchFET® и монтаж SMD

Использование технологии TrenchFET® позволяет получить низкое сопротивление канала. Компактный корпус PowerPAK® SC70 предназначен для SMD-монтажа, что экономит место на печатной плате. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В, а заряд затвора составляет 35 нКл, что влияет на скорость переключения и нагрузку на управляющий узел.