Транзистор N-MOSFET SiC STMicroelectronics SCT20N120AG, 1200 В, 16 А, 2 шт.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics SCT20N120AG — это силовой полупроводниковый прибор на основе карбида кремния (SiC).## Комплектация и монтаж

• Технология SiC для высокой эффективности
• Напряжение сток-исток 1,2 кВ
• Ток стока 16 А (45 А в импульсе)
• Сопротивление в открытом состоянии 0,22 Ом
• Корпус HIP247™, монтаж THT
• Комплект из 2 транзисторов

Высокое напряжение и ток

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 1,2 кВ и постоянный ток стока 16 А. В импульсном режиме прибор выдерживает ток до 45 А, что позволяет использовать его в силовых цепях с высокими нагрузками.

Технология SiC и эффективность

Использование технологии SiC обеспечивает низкое сопротивление в открытом состоянии — 0,22 Ом. Это снижает потери мощности при переключении и нагрев компонента. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 153 Вт.

Зарядные характеристики и управление

Заряд затвора равен 45 нКл, что влияет на скорость переключения и требования к драйверу. Допустимое напряжение затвор-исток составляет от -10 до 25 В. Транзистор является униполярным с каналом обогащения.