Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S3M0040120D, SiC, 1,2kV, 46A, TO247-3 (3 шт.)
2 200 ₴
- В наличии
- Код: TM113815
Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S3M0040120D, SiC, 1,2kV, 46A, TO247-3 (3 шт.)В наличии
2 200 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET от бренда SMC DIODE SOLUTIONS, модель S3M0040120D. Это полупроводниковый прибор на основе карбида кремния (SiC) в корпусе TO247-3. Комплект состоит из 3 штук.
- Тип: N-MOSFET, канал обогащения
- Технология: SiC (карбид кремния)
- Максимальное напряжение сток-исток: 1,2kV
- Ток стока: 46A (постоянный), 223A (импульсный)
- Рассеиваемая мощность: 130W
- Сопротивление в открытом состоянии: 50mΩ
- Корпус: TO247-3, монтаж THT
- Комплектация: 3 шт.
Высокое напряжение и ток
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 1,2kV и постоянный ток стока 46A. В импульсном режиме допустимый ток достигает 223A.
Технология SiC
Использование технологии SiC (карбид кремния). Рассеиваемая мощность составляет 130W. Низкое сопротивление в открытом состоянии 50mΩ.
Удобный монтаж
Компонент имеет корпус TO247-3 и предназначен для монтажа на поверхность (THT). Заряд затвора составляет 143nC.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 130 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 18 В |
| Максимально допустимый ток стока | 46 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 50 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 3 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
| Производитель | SMC DIODE SOLUTIONS |
| Технология | SiC |
Информация для заказа
- Цена: 2 200 ₴