Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S2M0160120T SiC 1200В 12А (набор 10 шт.)
3 680 ₴
- В наличии
- Код: TM113793
Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S2M0160120T SiC 1200В 12А (набор 10 шт.)В наличии
3 680 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET от бренда SMC DIODE SOLUTIONS, модель S2M0160120T, изготовлен по технологии SiC. Это униполярный компонент с напряжением сток-исток 1,2 кВ и током стока 12 А.
- Технология SiC
- Напряжение сток-исток 1,2 кВ
- Ток стока 12 А (импульсный 40 А)
- Рассеиваемая мощность 121 Вт
- Корпус TOLL, монтаж SMD
- Набор из 10 транзисторов
Электрические параметры
Транзистор имеет напряжение сток-исток 1,2 кВ и ток стока 12 А.
Технология SiC
Компонент изготовлен по технологии SiC. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 0,3 Ом.
Мощность и ток
Максимальная рассеиваемая мощность составляет 121 Вт, а импульсный ток стока — 40 А.
Монтаж и комплектация
Компонент выполнен в корпусе TOLL с технологией монтажа SMD. В комплекте поставляется 10 штук.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 121 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 12 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 300 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TOLL |
| Производитель | SMC DIODE SOLUTIONS |
| Технология | SiC |
Информация для заказа
- Цена: 3 680 ₴