Транзистор N-MOSFET ROHM RQ3E180AJTB, 30В/30А, HSMT8 (набор 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET ROHM RQ3E180AJTB — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для коммутации тока до 30 А. Модель выполнена в компактном корпусе HSMT8 для поверхностного монтажа (SMD) и поставляется набором из 20 единиц.

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 30 В
• Ток стока: 30 А (импульсный до 72 А)
• Рассеиваемая мощность: 30 Вт
• Сопротивление в состоянии проводимости: 5,8 мОм
• Корпус: HSMT8, монтаж SMD
• Комплектация: набор из 20 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 30 В и постоянный ток стока 30 А. Импульсный ток может достигать 72 А, что позволяет использовать компонент в схемах с высокими пиковыми нагрузками. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 30 Вт, а допустимое напряжение затвор-исток — ±12 В.

Низкое сопротивление и скорость переключения

Сопротивление в состоянии проводимости (RDS(on)) равно 5,8 мОм, что минимизирует потери энергии и нагрев компонента во время работы. Заряд затвора (Qg) составляет 39 нКл, что обеспечивает достаточную скорость переключения для многих силовых применений.

Монтаж и комплектация

Компонент имеет тип монтажа SMD и корпус HSMT8, подходящий для автоматизированного производства печатных плат. Внимание: товар продается исключительно набором из 20 транзисторов, что удобно для серийной сборки или ремонтных мастерских.