Транзистор N-MOSFET ONSEMI NVA4001NT1G, SMD SC75, 20V, 238mA (70 шт.)
1 920 ₴
- В наличии
- Код: TM113459
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NVA4001NT1G, SMD SC75, 20V, 238mA (70 шт.)В наличии
1 920 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NVA4001NT1G — это униполярный компонент с каналом обогащения в корпусе SC75 для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 70 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 20 В
- Постоянный ток стока: 238 мА
- Импульсный ток стока: 0,714 А
- Мощность рассеивания: 0,3 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 3 Ом
- Корпус: SC75, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 70 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение между стоком и истоком 20 В. Постоянный ток стока составляет 238 мА, а импульсный — 0,714 А. Мощность рассеивания ограничена 0,3 Вт, а сопротивление в открытом состоянии равно 3 Ом.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в миниатюрном корпусе SC75, предназначенном для технологии SMD. Версия: ESD.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.3 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 10 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.238 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 3000 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Количество в комплекте | 70 шт. |
| Корпус | SC75 |
Информация для заказа
- Цена: 1 920 ₴