Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTR5198NLT1G, 60 В, 1,6 А, SOT23 (50 шт.)
1 920 ₴
- В наличии
- Код: TM113449
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTR5198NLT1G, 60 В, 1,6 А, SOT23 (50 шт.)В наличии
1 920 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTR5198NLT1G — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения. Комплект состоит из 50 штук в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
- Ток стока: 1,6 А
- Рассеиваемая мощность: 0,6 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 155 мОм
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 50 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением сток-исток до 60 В и выдерживает ток стока до 1,6 А. Рассеиваемая мощность составляет 0,6 Вт, что определяет тепловой режим работы прибора. Сопротивление в открытом состоянии равно 155 мОм.
Корпус и монтаж
Прибор выполнен в корпусе SOT23. Технология монтажа SMD (Surface Mount Device) предполагает установку компонента непосредственно на поверхность платы. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В. Маркировка производителя: NTR5198NLT1G.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.6 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 1.6 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 155 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 50 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Информация для заказа
- Цена: 1 920 ₴