Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTF3055-100T1G, 60 В, 3 А, SOT223, набор 20 шт.
2 610 ₴
- В наличии
- Код: TM113447
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTF3055-100T1G, 60 В, 3 А, SOT223, набор 20 шт.В наличии
2 610 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 20 транзисторов N-MOSFET от производителя ONSEMI, модель NTF3055-100T1G. Компоненты предназначены для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе SOT223 и рассчитаны на напряжение 60 В и ток 3 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: 60 В
- Ток стока: 3 А
- Рассеиваемая мощность: 2,1 Вт
- Корпус: SOT223, монтаж SMD
- Количество в наборе: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор является униполярным N-MOSFET с напряжением сток-исток 60 В и максимальным током стока 3 А. Рассеиваемая мощность составляет 2,1 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 0,11 Ом. Заряд затвора равен 10,6 нКл.
Корпус и монтаж
Компоненты выполнены в корпусе SOT223. Тип монтажа — SMD.
Комплектация
В упаковке содержится 20 единиц транзисторов. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В, что определяет допустимые пределы управляющего сигнала. Канал транзистора является обогащаемым.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 2.1 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 3 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 110 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SOT223 |
Информация для заказа
- Цена: 2 610 ₴