Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTA7002NT1G, 30 В, 0,154 А, SMD SC75 (80 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTA7002NT1G — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Комплект состоит из 80 штук в корпусе SC75 для поверхностного монтажа (SMD).

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 30 В
• Ток стока: 0,154 А
• Мощность рассеивания: 0,3 Вт
• Сопротивление в состоянии проводимости: 7 Ом
• Корпус: SC75, монтаж SMD
• Количество в комплекте: 80 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 30 В и ток стока 0,154 А. Мощность рассеивания составляет 0,3 Вт. Сопротивление в состоянии проводимости равно 7 Ом.

Корпус и монтаж

Прибор выполнен в корпусе SC75. Технология монтажа SMD (Surface Mount Device) предусматривает автоматизированную установку компонентов на поверхность платы. Напряжение затвор-исток ограничено ±10 В. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±10 В, что определяет допустимые уровни управляющего сигнала для этого компонента.