Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор N-MOSFET ONSEMI NDT3055, 60 В, 4 А, SOT223, набор 20 шт.

2 800 ₴

  • В наличии
  • Код: TM113406
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NDT3055, 60 В, 4 А, SOT223, набор 20 шт.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NDT3055, 60 В, 4 А, SOT223, набор 20 шт.В наличии
2 800 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Набор из 20 транзисторов ONSEMI NDT3055 типа N-MOSFET в корпусе SOT223. Компоненты рассчитаны на напряжение 60 В и ток 4 А.

  • Тип: N-MOSFET, униполярный, обогащенный канал
  • Напряжение сток-исток: 60 В
  • Ток стока: 4 А (импульсный до 25 А)
  • Корпус: SOT223, монтаж SMD
  • Рассеиваемая мощность: 3 Вт
  • Набор: 20 штук

Электрические параметры

Транзистор имеет напряжение сток-исток 60 В и постоянный ток стока 4 А. Импульсный ток может достигать 25 А, что позволяет использовать компонент в схемах с кратковременными пиковыми нагрузками. Сопротивление в открытом состоянии составляет 0,1 Ом, что обеспечивает эффективное прохождение тока.

Мощность и управление

Максимальная рассеиваемая мощность равна 3 Вт. Заряд затвора составляет 9 нКл, что влияет на скорость переключения и требования к драйверу. Допустимое напряжение затвор-исток — ±20 В.

Монтаж и корпус

Компоненты выполнены в корпусе SOT223 для поверхностного монтажа (SMD). Такой формат корпуса обеспечивает компактность печатной платы и удобство автоматизированного монтажа. Набор содержит 20 штук.

Характеристики
Основные
ПроизводительON Semiconductor
Максимальная мощность рассеивания3 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток20 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток60 В
Максимально допустимый ток стока4 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)100 mOm
Тип монтажаПоверхностный
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте20 шт.
КорпусSOT223
Информация для заказа
  • Цена: 2 800 ₴