Транзистор P-MOSFET ONSEMI NDS332P, SuperSOT-3, -20В, -1А (набор 30 шт.)

Транзистор P-MOSFET ONSEMI NDS332P — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Модель поставляется в корпусе SuperSOT-3 для поверхностного монтажа (SMD) и реализуется набором из 30 штук.

• Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: -20 В
• Максимальный ток стока: -1 А
• Мощность рассеивания: 0,5 Вт
• Корпус: SuperSOT-3, монтаж SMD
• Комплектация: набор из 30 штук

Электрические параметры

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток -20 В и максимальный ток стока -1 А. Мощность рассеивания составляет 0,5 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,74 Ом, а заряд затвора — 5 нКл.

Особенности управления

Устройство является униполярным с каналом обогащения. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±8 В. Транзистор обладает свойством «logic level».

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе SuperSOT-3. Монтаж осуществляется методом поверхностного монтажа (SMD).