Транзистор ONSEMI MUN5214DW1T1G, NPN x2, SMD, 50В, 0,1А, 100 шт.

Транзистор ONSEMI MUN5214DW1T1G — это биполярный компонент типа NPN с двойной структурой (NPN x2) в корпусе SMD. Комплект состоит из 100 единиц, предназначенных для монтажа на поверхность платы.

• Тип транзистора: NPN x2 (двойной)
• Напряжение коллектор-эмиттер: 50 В
• Ток коллектора: 0,1 А
• Мощность рассеивания: 0,25 Вт
• Корпус: SMD (SC70-6, SC88, SOT363)
• Базовый резистор: 10 кОм
• Резистор эмиттер-база: 47 кОм
• Количество в комплекте: 100 шт.

Электрические параметры и усиление

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 50 В, а допустимый ток коллектора — 0,1 А. Мощность рассеивания ограничена значением 0,25 Вт. Коэффициент усиления транзистора (hFE) находится в пределах 80...140.

Встроенные резисторы и монтаж

Транзистор имеет встроенные резисторы (тип BRT). Сопротивление базового резистора (R1) составляет 10 кОм, а резистора эмиттер-база (R2) — 47 кОм. Компонент предназначен для поверхностного монтажа (SMD).

Тип и конструкция

Компонент является биполярным транзистором (BRT) с двумя NPN-структурами в одном корпусе. Монтаж осуществляется на поверхность платы (SMD). Производитель указывает совместимые обозначения корпусов: SC70-6, SC88, SOT363.