
Транзистор N-MOSFET DIOTEC MMFTN123, SOT23, 100В, 0,17А (MMFTN123-DIO) — набор 90 шт.
2 040 ₴
- В наличии
- Код: TM113313
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET DIOTEC MMFTN123 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения.## Комплектация Максимальное напряжение сток-исток составляет 100 В, а постоянный ток стока — 0,17 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
- Ток стока: 0,17 А (постоянный), 0,68 А (импульсный)
- Корпус SOT23 для поверхностного монтажа (SMD)
- Комплект поставки: 90 шт.
Электрические параметры и мощность
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 100 В и постоянный ток стока 0,17 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 0,68 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 0,36 Вт, что ограничивает тепловую нагрузку на компонент.
Корпус SOT23 и монтаж SMD
Компонент выполнен в стандартном корпусе SOT23. Технология монтажа SMD (Surface Mount Device). Напряжение затвор-исток ограничено величиной ±20 В. Сопротивление в открытом состоянии составляет 10 Ом.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Diotec Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.36 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.17 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 10000 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 90 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Информация для заказа
- Цена: 2 040 ₴
