Транзистор N-JFET ONSEMI MMBFJ110 — это униполярный компонент в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD). Позиция продается набором из 40 штук, что удобно для серийного производства или ремонта плат.
- Тип транзистора: N-JFET, униполярный
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Ток стока и затвора: 10 мА
- Рассеиваемая мощность: 0,46 Вт
- Напряжение затвор-исток: -25 В
- Сопротивление в состоянии проводимости: 18 Ом
- Количество в наборе: 40 шт.
Технические параметры
Транзистор имеет ток утечки и ток стока 10 мА, а рассеиваемая мощность составляет 0,46 Вт. Сопротивление в состоянии проводимости равно 18 Ом, а напряжение затвор-исток ограничено значением -25 В. Эти характеристики определяют рабочий режим компонента в электрических схемах.
Корпус и монтаж
Компонент изготовлен в стандартном корпусе SOT23, что обеспечивает компактность узла. Монтаж выполняется по технологии SMD (поверхностный монтаж), что позволяет автоматизировать процесс пайки на конвейере. Такое решение подходит для современных печатных плат с высокой плотностью размещения элементов.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.46 Вт |
| Максимально допустимый ток стока | 0.01 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
| Корпус | SOT23 |
- Цена: 2 420 ₴

