Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated MMBF170Q-7-F, 60В, 0,5А, SOT23 (набор 60 шт.)

Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated MMBF170Q-7-F — это униполярный полевой транзистор с изолированным затвором в корпусе SOT23.## Комплектация

• Тип: N-MOSFET, униполярный
• Напряжение сток-исток: 60 В
• Ток стока: 0,5 А (0,8 А в импульсе)
• Мощность рассеивания: 0,3 Вт
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Количество в комплекте: 60 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с напряжением сток-исток до 60 В и постоянным током стока 0,5 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 0,8 А. Мощность рассеивания составляет 0,3 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 5,3 Ом.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе SOT23. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж).

Канал и полярность

Транзистор имеет канал n-типа обогащения и является униполярным. Это означает, что для открытия канала требуется положительное напряжение на затворе относительно истока, а управление осуществляется только одним типом носителей заряда. Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет ±20 В.