Транзистор N-MOSFET ONSEMI MMBF170LT1G, SOT23, 60В, 0,5А (комплект 90 шт.)
2 000 ₴
- В наличии
- Код: TM113298
Транзистор N-MOSFET ONSEMI MMBF170LT1G, SOT23, 60В, 0,5А (комплект 90 шт.)В наличии
2 000 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI MMBF170LT1G — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 90 единиц.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
- Ток стока: 0,5 А
- Мощность рассеивания: 0,225 Вт
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 90 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 60 В и ток стока 0,5 А. Мощность рассеивания составляет 0,225 Вт.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе SOT23. Предназначен для поверхностного монтажа (SMD).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.225 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.5 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 5000 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 90 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Информация для заказа
- Цена: 2 000 ₴