Транзистор ONSEMI MJE3055TG, NPN, 60 В, 10 А, 125 Вт, TO220AB (набор 20 шт.)
2 950 ₴
- В наличии
- Код: TM113281
Транзистор ONSEMI MJE3055TG, NPN, 60 В, 10 А, 125 Вт, TO220AB (набор 20 шт.)В наличии
2 950 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор ONSEMI MJE3055TG — это биполярный полупроводниковый прибор структуры NPN в корпусе TO220AB. Комплект из 20 штук.
- Структура NPN, напряжение коллектор-эмиттер 60 В
- Ток коллектора до 10 А, мощность рассеивания 125 Вт
- Корпус TO220AB для монтажа на плату (THT)
- Коэффициент усиления hFE: 20...100
- Граничная частота 2 МГц
- Комплект: 20 транзисторов
Мощность и ток
Транзистор рассчитан на постоянный ток коллектора до 10 А и рассеиваемую мощность 125 Вт.
Электрические параметры
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 60 В. Коэффициент усиления по току (hFE) находится в диапазоне 20...100.
Монтаж и корпус
Компонент выполнен в стандартном корпусе TO220AB для монтажа на печатную плату (THT).
Частотные характеристики
Граничная частота перехода составляет 2 МГц.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 125 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 60 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 10 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Граничная частота передачи | 2 МГц |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Информация для заказа
- Цена: 2 950 ₴