Транзистор IGBT IXYS IXXK110N65B4H1 — это силовой полупроводниковый прибор технологии GenX4™ в корпусе TO264. Он рассчитан на рабочее напряжение 650 В и постоянный ток коллектора 110 А.
- Ток коллектора 110 А
- Напряжение коллектор-эмиттер 650 В
- Рассеиваемая мощность 880 Вт
- Импульсный ток 570 А
- Корпус TO264, монтаж THT
- Технология GenX4™
Мощность и токовые характеристики
Прибор выдерживает постоянный ток коллектора 110 А и импульсный ток до 570 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 880 Вт.
Скорость переключения
Транзистор имеет время включения 65 нс и время выключения 250 нс. Эти параметры определяют динамические характеристики переключения прибора. Технология изготовления GenX4™, Trench и XPT™ влияет на структуру полупроводника.
Управление и монтаж
Напряжение управления затвор-эмиттер составляет ±20 В, а суммарный заряд затвора — 183 нКл. Транзистор предназначен для выводного монтажа (THT) в стандартном корпусе TO264.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 880 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 570 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | TO264 |
Информация для заказа
- Цена: 2 330 ₴

