Транзистор N-MOSFET IXYS IXTU8N70X2, 700В, 8А, IPAK — набор 10 шт.
3 590 ₴
- В наличии
- Код: TM112738
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTU8N70X2, 700В, 8А, IPAK — набор 10 шт.В наличии
3 590 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET IXYS IXTU8N70X2 — это униполярный компонент с каналом обогащения. Модель рассчитана на напряжение сток-исток до 700 В и постоянный ток 8 А.
- Напряжение сток-исток до 700 В
- Ток стока 8 А, импульсный до 16 А
- Мощность рассеивания 150 Вт
- Корпус IPAK, монтаж THT
- Набор из 10 транзисторов
Высоковольтные характеристики
Транзистор выдерживает напряжение сток-исток (Vds) до 700 В. Максимальное напряжение на затворе составляет ±30 В, что определяет требования к драйверу управления.
Мощность и токовые параметры
Номинальный ток стока равен 8 А, а импульсный ток (Idm) может достигать 16 А. Мощность рассеивания составляет 150 Вт, что требует надлежащего теплоотвода.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе IPAK с технологией монтажа THT (выводной монтаж). Корпус IPAK обеспечивает компактное размещение на плате при сохранении теплового контакта.
Комплектация
Товар поставляется набором из 10 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 150 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 700 В |
| Максимально допустимый ток стока | 8 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 500 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | IPAK |
Информация для заказа
- Цена: 3 590 ₴