Транзистор IXYS IXTQ26N50P, N-MOSFET, 500 В, 26 А, 400 Вт, TO3P (набор 5 шт.)

Транзистор IXYS IXTQ26N50P — это полевой N-MOSFET транзистор в корпусе TO3P. Устройство характеризуется максимальным напряжением сток-исток 500 В, током стока 26 А и мощностью рассеивания 400 Вт.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимальное напряжение сток-исток: 500 В
• Максимальный ток стока: 26 А
• Мощность рассеивания: 400 Вт
• Корпус: TO3P, монтаж вставной
• Сопротивление в открытом состоянии: 230 мОм
• Количество в комплекте: 5 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с максимально допустимым напряжением сток-исток 500 В и выдерживает ток стока до 26 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 400 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 230 мОм, что влияет на эффективность передачи тока.

Конструкция и монтаж

Компонент выполнен в корпусе TO3P с вставным типом монтажа. Это однополярный (unipolar) транзистор с каналом типа обогащения (enhancement mode). Время готовности (switching time) составляет 300 нс, что характеризует быстродействие переключения.

Комплектация

В наборе поставляется 5 транзисторов IXYS IXTQ26N50P (Symbol TME: IXTQ26N50P). Это стандартный силовой MOSFET (standard power mosfet) с зарядом затвора 65 нКл.