Транзистор N-MOSFET IXYS IXTA2N100P, 1 кВ, 2 А, TO263, набор 10 шт.

Транзистор N-MOSFET IXYS IXTA2N100P — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, предназначенный для работы при напряжении до 1 кВ. Товар поставляется набором из 10 штук в корпусе TO263 для поверхностного монтажа (SMD).

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, с каналом обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 1 кВ
• Ток стока: 2 А
• Рассеиваемая мощность: 86 Вт
• Корпус: TO263, монтаж SMD
• Время восстановления: 800 нс
• Количество в комплекте: 10 шт.

Электрические параметры и тип канала

Транзистор имеет напряжение сток-исток 1 кВ и ток стока 2 А. Рассеиваемая мощность составляет 86 Вт. Время восстановления составляет 800 нс. Прибор является униполярным с каналом обогащения (standard power mosfet).

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе TO263, который является стандартом для силовых MOSFET-транзисторов. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж), что обеспечивает компактное размещение на печатной плате.

Комплектация и идентификация

В упаковке содержится 10 транзисторов. Символ производителя: IXTA2N100P. Производитель: IXYS.