Транзистор N-MOSFET IXYS IXFT50N60P3, 600 В, 50 А, TO268 — набор 2 шт.

Транзистор N-MOSFET IXFT50N60P3 от бренда IXYS — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 600 В и ток 50 А. Товар поставляется комплектом из 2 штук в корпусе TO268 для монтажа на поверхность (SMD).

• Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
• Постоянный ток стока: 50 А
• Мощность рассеивания: 1,04 кВт
• Сопротивление в состоянии проводимости: 0,16 Ом
• Корпус: TO268, монтаж SMD
• Комплектация: 2 шт.

Электрические параметры

Прибор имеет максимальное напряжение сток-исток 600 В и постоянный ток стока 50 А. Мощность рассеивания составляет 1,04 кВт, а сопротивление в состоянии проводимости — 0,16 Ом. Заряд затвора составляет 94 нКл.

Корпус и монтаж

Транзистор выполнен в корпусе TO268. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж).