Транзистор N-MOSFET IXYS IXFP7N80P, 800 В, 7 А, TO220AB — набор 10 шт.
2 280 ₴
- В наличии
- Код: TM112728
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFP7N80P, 800 В, 7 А, TO220AB — набор 10 шт.В наличии
2 280 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET IXFP7N80P от бренда IXYS — это униполярный компонент с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 800 В и ток 7 А. Товар поставляется комплектом из 10 штук в корпусе TO220AB.
- Ток стока 7 А и напряжение 800 В
- Мощность рассеивания 200 Вт
- Сопротивление в состоянии проводимости 1,44 Ом
- Корпус TO220AB для монтажа THT
- Комплект из 10 транзисторов
- Технологии HiPerFET™ и Polar™
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением сток-исток 800 В и выдерживает ток стока 7 А. Мощность рассеивания составляет 200 Вт, а сопротивление в состоянии проводимости — 1,44 Ом. Напряжение затвор-исток ограничено ±30 В, что определяет режимы управления каналом.
Технология и монтаж
Компонент изготовлен по технологиям HiPerFET™ и Polar™. Время восстановления составляет 250 нс. Монтаж выполняется методом THT (сквозной монтаж) в корпусе TO220AB.
Комплектация
В упаковке содержится 10 транзисторов IXFP7N80P. Количество в комплекте составляет 10 шт.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 200 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 800 В |
| Максимально допустимый ток стока | 7 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1440 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Время готовности | 250 нс |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Информация для заказа
- Цена: 2 280 ₴