Транзистор IXYS IXFN420N10T, 100В, 420А, SOT227B
3 150 ₴
- В наличии
- Код: TM112726
Транзистор IXYS IXFN420N10T, 100В, 420А, SOT227BВ наличии
3 150 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
IXFN420N10T — это силовой MOSFET-модуль от производителя IXYS. Компонент изготовлен по технологии GigaMOS™ и имеет низкое сопротивление в открытом состоянии.
- Ток стока 420 А для мощных силовых цепей
- Пиковый ток в импульсе 1 кА
- Низкое сопротивление в открытом состоянии 2,3 мОм
- Время включения 140 нс благодаря GigaMOS™
- Корпус SOT227B с винтовым креплением
- Рассеиваемая мощность 1,07 кВт
Высокие токовые параметры
Постоянный ток стока составляет 420 А. В импульсном режиме устройство выдерживает пиковый ток до 1 кА. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 1,07 кВт.
Технические характеристики коммутации
Благодаря технологиям GigaMOS™ и HiPerFET™ транзистор имеет время включения 140 нс. Сопротивление в открытом состоянии составляет 2,3 мОм. Заряд затвора равен 670 нКл.
Конструкция и монтаж
Компонент выполнен в корпусе SOT227B с винтовым креплением. Структура полупроводника — одиночный транзистор. Максимальное напряжение сток-исток составляет 100 В, а напряжение затвор-исток — ±30 В.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 1070 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 420 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 2.3 mOm |
| Пользовательские характеристики | |
| Время готовности | 140 нс |
| Корпус | SOT227B |
| Технология | GigaMOS™, HiPerFET™ |
Информация для заказа
- Цена: 3 150 ₴