Транзистор IXYS IXFA4N85X, N-MOSFET, 850 В, 3,5 А, TO263 (набор 10 шт.)

Транзистор IXYS IXFA4N85X — это полевой N-MOSFET с каналом обогащения, рассчитанный на максимальное напряжение сток-исток 850 В и ток стока 3,5 А. Прибор выполнен в корпусе для поверхностного монтажа TO263 и относится к технологии HiPerFET™ X-Class.

• Тип транзистора: полевой N-MOSFET
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 850 В
• Максимально допустимый ток стока: 3,5 А
• Корпус: TO263 (поверхностный монтаж)
• Максимальная мощность рассеивания: 150 Вт
• Количество в комплекте: 10 шт.

Электрические параметры

Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 850 В, а напряжение затвор-исток ограничено 30 В. Ток стока в импульсе может достигать 10 А, при этом максимальная мощность рассеивания равна 150 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) зафиксировано на уровне 2500 мОм, а заряд затвора — 7 нКл.

Конструкция и монтаж

Транзистор выполнен в корпусе TO263 для поверхностного монтажа (SMD). Время включения (turn-on time) составляет 170 нс. Прибор является униполярным и использует технологию ultra junction x-class.

Комплектация

В наборе поставляется 10 транзисторов IXFA4N85X.