Транзистор N-MOSFET IXYS IXFA12N50P, 500 В, 12 А, TO263, набор 10 шт.
2 320 ₴
- В наличии
- Код: TM112717
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFA12N50P, 500 В, 12 А, TO263, набор 10 шт.В наличии
2 320 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFA12N50P — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 500 В и ток 12 А. Товар поставляется набором из 10 штук в корпусе TO263 для поверхностного монтажа (SMD).
- Набор из 10 транзисторов IXYS IXFA12N50P
- Максимальное напряжение сток-исток 500 В
- Ток стока 12 А и мощность 200 Вт
- Корпус TO263 для монтажа SMD
- Сопротивление в состоянии проводимости 0,5 Ом
- Технологии HiPerFET™ и Polar™
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением сток-исток до 500 В и выдерживает постоянный ток стока 12 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 200 Вт. Сопротивление в состоянии проводимости равно 0,5 Ом, а заряд затвора — 29 нКл.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе TO263 для поверхностного монтажа (SMD). Время готовности (готовности к работе) составляет 300 нс.
Комплектация
Товар поставляется набором из 10 транзисторов IXYS IXFA12N50P.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 200 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 500 В |
| Максимально допустимый ток стока | 12 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 500 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Время готовности | 300 нс |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO263 |
Информация для заказа
- Цена: 2 320 ₴