Транзистор IGBT IXYS IXBT2N250, 2,5 кВ, 2 А, TO268 — набор 2 шт.

IGBT-транзистор IXYS IXBT2N250 — это полупроводниковый прибор технологии BiMOSFET™ в корпусе TO268 для монтажа SMD. Предназначен для высоковольтных схем, где важны надежность и компактность.

• Напряжение коллектор-эмиттер 2,5 кВ для высоковольтных применений
• Ток коллектора 2 А (постоянный) и 13 А (импульсный)
• Технология BiMOSFET™ и корпус TO268 для SMD монтажа
• Быстрая коммутация: время включения 310 нс, выключения 252 нс
• Рассеиваемая мощность 32 Вт
• Набор из 2 транзисторов в комплекте

Высокое напряжение и ток

Транзистор рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 2,5 кВ и постоянный ток коллектора 2 А. Это позволяет использовать его в силовых модулях и инверторах, работающих с сетью высокого напряжения. Импульсный ток может достигать 13 А, что обеспечивает запас прочности при резких нагрузках.

Быстрая коммутация

Время включения составляет 310 нс, а время выключения — 252 нс. Такие показатели минимизируют потери энергии при переключении, что критично для высокочастотных преобразователей. Заряд затвора 10,6 нКл упрощает управление драйвером.

Компактный монтаж

Корпус TO268 и технология монтажа SMD позволяют размещать компонент на печатных платах с высокой плотностью. Рассеиваемая мощность 32 Вт требует эффективного отвода тепла, но сохраняет габариты устройства минимальными.

Управление и надежность затвора

Допустимое напряжение затвор-эмиттер составляет ±20 В, что определяет требования к драйверу управления. Высоковольтные свойства полупроводника обеспечивают стабильную работу в сложных условиях. Товар поставляется как набор из 2 штук, что удобно для серийного производства или замены пары компонентов в симметричных схемах.