Транзистор IGBT IXYS IXBT10N170, 1,7 кВ, 10 А, TO268 — набор 3 шт.

Транзистор IGBT IXBT10N170 от производителя IXYS — это полупроводниковый прибор технологии BiMOSFET™ в корпусе TO268. Товар поставляется комплектом из 3 штук. Ключевые параметры: напряжение коллектор-эмиттер 1,7 кВ и постоянный ток коллектора 10 А.

• Напряжение коллектор-эмиттер: 1,7 кВ
• Постоянный ток коллектора: 10 А
• Импульсный ток коллектора: 40 А
• Рассеиваемая мощность: 140 Вт
• Корпус: TO268, монтаж SMD
• Комплектация: 3 шт.

Электрические характеристики

Прибор имеет высоковольтную характеристику и напряжение коллектор-эмиттер 1,7 кВ. Постоянный ток коллектора составляет 10 А, а импульсный ток может достигать 40 А. Максимальная рассеиваемая мощность равна 140 Вт.

Быстродействие и управление

Время включения транзистора составляет 63 нс, а время выключения — 1,8 мкс. Для управления затвором используется напряжение ±20 В. Общий заряд затвора равен 30 нКл.

Монтаж и комплектация

Транзистор предназначен для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе TO268. В комплекте поставки находится 3 штуки приборов. Транзистор изготовлен по технологии BiMOSFET™. Прибор имеет импульсный ток коллектора до 40 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 140 Вт.