Транзистор IGBT IXYS IXBN42N170A, 1700 В, 21 А, SOT227B

Транзистор IGBT IXBN42N170A от производителя IXYS — это силовой полупроводниковый компонент в корпусе SOT227B. Устройство предназначено для работы в высоковольтных электрических схемах, где необходима надежная коммутация тока до 21 А при напряжении до 1700 В.

• Максимальное обратное напряжение 1,7 кВ для высоковольтных применений
• Номинальный ток коллектора 21 А
• Импульсный ток до 265 А
• Рассеиваемая мощность 313 Вт
• Надежный корпус SOT227B с винтовым монтажом
• Технология BiMOSFET™

Высоковольтная коммутация

Модуль рассчитан на максимальное обратное напряжение 1,7 кВ.

Мощность и ток

Номинальный ток коллектора составляет 21 А, а импульсный ток может достигать 265 А. Это позволяет модулю выдерживать кратковременные пиковые нагрузки без повреждения структуры полупроводника.

Тепловой режим

Максимальная рассеиваемая мощность модуля — 313 Вт.

Конструкция и монтаж

Компонент выполнен в виде одиночного транзистора (single transistor) в стандартном корпусе SOT227B. Механический и электрический монтаж осуществляется с помощью винтового крепления.

Технология BiMOSFET

В модуле применена технология BiMOSFET™.