Транзистор N-MOSFET Infineon IRFSL4010PBF, 100В, 180А, TO262, комплект 5 шт.
1 960 ₴
- В наличии
- Код: TM112634
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFSL4010PBF, 100В, 180А, TO262, комплект 5 шт.В наличии
1 960 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFSL4010PBF — это силовой полупроводниковый прибор в корпусе TO262 для монтажа на плату. Комплект состоит из 5 единиц.
- Тип транзистора: N-MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
- Ток стока: 180 А
- Мощность рассеивания: 375 Вт
- Корпус: TO262 (выводной монтаж THT)
- Комплектация: 5 шт.
Технические параметры
Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 100 В и ток стока 180 А. Мощность рассеивания составляет 375 Вт. Канал обогащенного типа.
Корпус и монтаж
Прибор выполнен в корпусе TO262, предназначенном для выводного монтажа (THT). Технология HEXFET®.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 375 Вт |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 180 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO262 |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 1 960 ₴