Транзистор N-MOSFET Vishay IRFB11N50APBF, 500 В, 7 А, TO220AB (набор 10 шт.)
2 650 ₴
- В наличии
- Код: TM112622
Транзистор N-MOSFET Vishay IRFB11N50APBF, 500 В, 7 А, TO220AB (набор 10 шт.)В наличии
2 650 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 10 транзисторов N-MOSFET Vishay IRFB11N50APBF в корпусе TO220AB. Транзистор N-MOSFET с униполярным каналом обогащения. Параметры: напряжение 500 В, ток 7 А.
- Набор из 10 транзисторов N-MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток 500 В
- Ток стока 7 А
- Рассеиваемая мощность 170 Вт
- Корпус TO220AB для монтажа THT
- Сопротивление в открытом состоянии 0,52 Ом
Электрические параметры
Напряжение сток-исток: 500 В. Ток стока: 7 А.
Рассеиваемая мощность
Максимальная рассеиваемая мощность: 170 Вт. Корпус: TO220AB.
Монтаж
Тип монтажа: THT (сквозной). Корпус: TO220AB.
Параметры управления
Напряжение затвор-исток: ±30 В. Сопротивление в открытом состоянии: 0,52 Ом. Заряд затвора: 52 нКл.
Комплектность
В наборе 10 транзисторов модели IRFB11N50APBF.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 170 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 500 В |
| Максимально допустимый ток стока | 7 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 520 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Информация для заказа
- Цена: 2 650 ₴