Транзистор P-MOSFET Infineon IRF9530NSTRLPBF, D2PAK, -100V, -14A, 3,8W (набор 20 шт.)

Транзистор P-MOSFET Infineon IRF9530NSTRLPBF — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения. Модель выполнена в корпусе D2PAK для поверхностного монтажа (SMD) и поставляется набором из 20 штук.

• Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный
• Максимальное напряжение сток-исток: -100 В
• Максимальный ток стока: -14 А
• Мощность рассеивания: 3,8 Вт
• Корпус: D2PAK, монтаж SMD
• Технология изготовления: HEXFET®
• Количество в наборе: 20 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с напряжением сток-исток до -100 В и выдерживает ток стока до -14 А. Мощность рассеивания составляет 3,8 Вт, что позволяет использовать компонент в устройствах со средним уровнем нагрузки. Тип канала — обогащенный, что обеспечивает стабильную работу в ключевых режимах.

Технология и монтаж

Компонент изготовлен по технологии HEXFET®. Корпус D2PAK, монтаж SMD.

Комплектация

Товар поставляется в виде набора, содержащего 20 транзисторов.

Транзистор Infineon IRF9530NSTRLPBF с напряжением до -100 В.