Транзистор P-MOSFET Infineon IRF9530NPBF, -100В, -14А, TO220AB, комплект 20 шт.

Транзистор P-MOSFET Infineon IRF9530NPBF — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. В комплекте поставляется 20 единиц в корпусе TO220AB для монтажа на плату (THT).

• Тип: P-MOSFET, униполярный
• Напряжение сток-исток: -100 В
• Ток стока: -14 А
• Рассеиваемая мощность: 79 Вт
• Корпус: TO220AB, монтаж THT
• Комплектация: 20 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток -100 В и ток стока -14 А. Рассеиваемая мощность составляет 79 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента. Напряжение затвор-исток допускает значения ±20 В.

Технические характеристики

Компонент изготовлен по технологии HEXFET®, что влияет на его внутреннюю структуру. Сопротивление в состоянии проводимости равно 0,2 Ом, а заряд затвора — 38,7 нКл. Эти параметры описывают электрические свойства транзистора в рабочих режимах.## Монтаж на платуКомпонент выполнен в корпусе TO220AB. Тип монтажа THT (through-hole technology) позволяет устанавливать транзистор в отверстия печатной платы и фиксировать пайкой.## КомплектацияУпаковка содержит 20 транзисторов IRF9530NPBF. Все единицы имеют одинаковые параметры и маркировку производителя Infineon Technologies.