Транзистор N-MOSFET Vishay IRF840SPBF, 500 В, 5,1 А, D2PAK (набор 10 шт.)
2 170 ₴
- В наличии
- Код: TM112619
Транзистор N-MOSFET Vishay IRF840SPBF, 500 В, 5,1 А, D2PAK (набор 10 шт.)В наличии
2 170 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Vishay IRF840SPBF — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения. Модель имеет максимальное напряжение «сток-исток» 500 В и постоянный ток стока 5,1 А.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение «сток-исток»: 500 В
- Постоянный ток стока: 5,1 А (импульсный до 32 А)
- Мощность рассеивания: 125 Вт
- Корпус: D2PAK (TO263), монтаж SMD
- Набор: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет максимальное напряжение «сток-исток» 500 В и постоянный ток стока 5,1 А. Импульсный ток может достигать 32 А, что позволяет выдерживать кратковременные пиковые нагрузки. Мощность рассеивания составляет 125 Вт, а сопротивление в состоянии проводимости — 0,85 Ом.
Напряжение затвора и заряд
Максимальное напряжение «затвор-исток» составляет ±20 В. Заряд затвора равен 63 нКл, что характеризует входную емкость компонента.
Комплектация
Товар поставляется набором из 10 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 125 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 500 В |
| Максимально допустимый ток стока | 5.1 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 850 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK, TO263 |
Информация для заказа
- Цена: 2 170 ₴