Транзистор N-MOSFET Vishay IRF640SPBF, 200 В, 11 А, D2PAK (набор 10 шт.)
2 440 ₴
- В наличии
- Код: TM112616
Транзистор N-MOSFET Vishay IRF640SPBF, 200 В, 11 А, D2PAK (набор 10 шт.)В наличии
2 440 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Vishay IRF640SPBF — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Модель рассчитана на напряжение сток-исток до 200 В и постоянный ток стока 11 А.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 200 В
- Ток стока: 11 А (постоянный), 72 А (импульсный)
- Рассеиваемая мощность: 130 Вт
- Корпус: D2PAK (TO263), монтаж SMD
- Набор: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 200 В и постоянный ток стока 11 А. В импульсном режиме ток стока может достигать 72 А, а максимальная рассеиваемая мощность составляет 130 Вт. Сопротивление в состоянии проводности равно 0,18 Ом.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе D2PAK (TO263) для поверхностного монтажа (SMD).
Напряжение затвора и заряд затвора
Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В. Заряд затвора равен 70 нКл, что характеризует параметры управления транзистором.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 130 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 200 В |
| Максимально допустимый ток стока | 11 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 180 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK, TO263 |
Информация для заказа
- Цена: 2 440 ₴