Транзистор N-MOSFET Infineon IRF530NSTRLPBF, 100 В, 17 А, D2PAK (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IRF530NSTRLPBF — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Модель рассчитана на напряжение 100 В и ток 17 А.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
• Максимальный ток стока: 17 А
• Рассеиваемая мощность: 3,8 Вт
• Корпус: D2PAK, монтаж SMD
• Комплектация: набор из 10 штук

Технические параметры

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 100 В и постоянный ток стока 17 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 3,8 Вт, а допустимое напряжение затвор-исток — ±20 В. Эти характеристики определяют границы безопасной эксплуатации компонента в электрических цепях.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе D2PAK для поверхностного монтажа (SMD).

Технология HEXFET®

Транзистор изготовлен по технологии HEXFET®. Производителем компонента является компания INFINEON TECHNOLOGIES. Маркировка производителя — IRF530NSTRLPBF. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В. Рассеиваемая мощность равна 3,8 Вт.