Транзистор N-MOSFET Infineon IPS70R1K4P7SAKMA1, 700V, 2.5A, IPAK SL (набор 50 шт.)
2 070 ₴
- В наличии
- Код: TM112609
Транзистор N-MOSFET Infineon IPS70R1K4P7SAKMA1, 700V, 2.5A, IPAK SL (набор 50 шт.)В наличии
2 070 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 50 транзисторов N-MOSFET от Infineon Technologies, модель IPS70R1K4P7SAKMA1. Компоненты выполнены в корпусе IPAK SL с технологией CoolMOS™ P7 и предназначены для монтажа на плату (THT).
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 700 В
- Ток стока: 2,5 А
- Рассеиваемая мощность: 22,7 Вт
- Корпус: IPAK SL, монтаж THT
- Технология: CoolMOS™ P7
- Количество в наборе: 50 шт.
Электрические параметры
Транзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 700 В, а постоянный ток стока — 2,5 А. Сопротивление в открытом состоянии равно 1,4 Ом. Напряжение затвор-исток ограничено ±16 В, а заряд затвора — 4,7 нКл.
Тепловые характеристики и монтаж
Максимальная рассеиваемая мощность компонента — 22,7 Вт. Транзисторы имеют выводы для установки на печатную плату (THT). Корпус IPAK SL. Версия ESD.
Комплектация
В упаковке поставляется 50 единиц транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 22.7 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 16 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 700 В |
| Максимально допустимый ток стока | 2.5 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1400 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Количество в комплекте | 50 шт. |
| Корпус | IPAK SL |
| Технология | CoolMOS™ P7 |
Информация для заказа
- Цена: 2 070 ₴