Транзистор N-MOSFET Infineon IPS65R1K5CEAKMA1, 650В, 3,1А, IPAK SL (70 шт.)
2 090 ₴
- В наличии
- Код: TM112608
Транзистор N-MOSFET Infineon IPS65R1K5CEAKMA1, 650В, 3,1А, IPAK SL (70 шт.)В наличии
2 090 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPS65R1K5CEAKMA1 — это полупроводниковый прибор с каналом обогащения. Комплект состоит из 70 единиц в корпусе IPAK SL с технологией CoolMOS™.
- Тип: N-MOSFET с каналом обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 650 В
- Ток стока: 3,1 А
- Рассеиваемая мощность: 28 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 1,5 Ом
- Корпус: IPAK SL, монтаж THT
- Технология: CoolMOS™
- Количество в комплекте: 70 шт.
Технические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 650 В и постоянный ток стока 3,1 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 1,5 Ом. Максимальная рассеиваемая мощность равна 28 Вт. Напряжение затвор-исток ограничено значением ±20 В.
Корпус и монтаж
Прибор выполнен в корпусе IPAK SL. Тип монтажа: THT.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 28 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 650 В |
| Максимально допустимый ток стока | 3.1 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1500 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 70 шт. |
| Корпус | IPAK SL |
| Технология | CoolMOS™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 090 ₴