Транзистор N-MOSFET Infineon IPP80R1K2P7, 800 В, 3,1 А, PG-TO220-3, набор 20 шт. (IPP80R1K2P7XKSA1)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPP80R1K2P7 — это униполярный полупроводниковый прибор на основе технологии CoolMOS™ P7. Компонент обеспечивает напряжение сток-исток 800 В и ток стока 3,1 А, предлагая надежное решение для высоковольтных применений.

• Напряжение сток-исток 800 В для высоковольтных применений
• Ток стока 3,1 А и мощность рассеивания 37 Вт
• Технология CoolMOS™ P7 для эффективной коммутации
• Корпус PG-TO220-3 с монтажом THT
• Защита от электростатического разряда (ESD)
• Набор из 20 транзисторов в комплекте

Высоковольтная стойкость

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 800 В, что подходит для высоковольтных применений. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В, что определяет требования к схеме управления. Такой параметр важен для стабильной работы в условиях высоких нагрузок.

Эффективность и теплоотдача

Мощность рассеивания составляет 37 Вт, что требует надлежащего отвода тепла при монтаже. Сопротивление в открытом состоянии равно 1,2 Ом, что влияет на потери мощности во время коммутации. Заряд затвора составляет 11 нКл.

Удобство монтажа и защита

Компонент выполнен в корпусе PG-TO220-3 с выводами для установки на плату (THT), что облегчает пайку и замену. Версия ESD обеспечивает дополнительную защиту от электростатического разряда при обработке и монтаже. Используется технология CoolMOS™ P7.

Тип канала и поляризация

Транзистор имеет обогащенный канал (wzbogacany) и является униполярным (unipolarny). Эти характеристики определяют принцип работы устройства и его поведение в электрических цепях. Униполярность означает, что ток течет только в одном направлении, что является стандартным свойством для MOSFET-транзисторов этого типа. Товар поставляется набором из 20 транзисторов, что обеспечивает запас компонентов для монтажа.