Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R180C7XKSA1, 600В, 13А, CoolMOS C7 (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R180C7XKSA1 — это полупроводниковый прибор с каналом обогащения, разработанный для эффективной коммутации в силовых электронных схемах. Модель относится к технологии CoolMOS™ C7, обеспечивающей низкие потери мощности и высокую надежность работы. Комплект состоит из 10 единиц в корпусе PG-TO220-3, что удобно для серийного производства или ремонта оборудования.

• Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
• Ток стока: 13 А
• Рассеиваемая мощность: 68 Вт
• Корпус: PG-TO220-3 для выводного монтажа (THT)
• Технология: CoolMOS™ C7
• Количество в комплекте: 10 шт.

Высокое напряжение и ток

Транзистор рассчитан на рабочее напряжение сток-исток 600 В и максимальный ток стока 13 А. Такие параметры позволяют использовать компонент в высоковольтных импульсных источниках питания и инверторах. Высокое напряжение пробоя обеспечивает запас прочности при работе с сетевым питанием.

Эффективное рассеивание тепла

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 68 Вт, что требует надлежащего отвода тепла. Корпус PG-TO220-3 упрощает монтаж на радиаторы для стабильной работы под нагрузкой. Это важно для устройств, где транзистор работает в режиме постоянной коммутации.

Удобный монтаж и комплектация

Компонент предназначен для выводного монтажа (THT), что облегчает пайку и замену в готовых платах. В комплекте поставляется 10 транзисторов, что оптимизирует закупку для небольших серий. Технология CoolMOS™ C7 гарантирует предсказуемые характеристики и совместимость с современными драйверами затвора. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В, что определяет безопасные пределы управления прибором. Сопротивление в состоянии проводности равно 0,18 Ом, что влияет на тепловые потери при коммутации. Транзистор является униполярным, что упрощает схемотехнику силовых ключей.