Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R160P6XKSA1, 600В, 23,8А, 176Вт, PG-TO220-3 (набор 10 шт.)
2 310 ₴
- В наличии
- Код: TM112603
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R160P6XKSA1, 600В, 23,8А, 176Вт, PG-TO220-3 (набор 10 шт.)В наличии
2 310 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R160P6XKSA1 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, разработанный для работы под напряжением до 600 В.## Технология и тип
- Ток стока 23,8 А
- Напряжение сток-исток 600 В
- Рассеиваемая мощность 176 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии 0,16 Ом
- Технология CoolMOS™ P6
- Корпус PG-TO220-3 (THT)
- Комплект: 10 шт.
Мощность и ток
Транзистор имеет номинальный ток стока 23,8 А и максимальную рассеиваемую мощность 176 Вт. Эти параметры определяют рабочий диапазон прибора.
Электрические характеристики
Максимальное напряжение сток-исток составляет 600 В, а напряжение затвор-исток — ±20 В. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,16 Ом.
Монтаж и корпус
Компонент предназначен для выводного монтажа (THT) в корпусе PG-TO220-3.Монтаж осуществляется в отверстия печатной платы.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 176 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 23.8 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 160 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | PG-TO220-3 |
| Технология | CoolMOS™ P6 |
Информация для заказа
- Цена: 2 310 ₴