Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R125CPXKSA1, 600В, 25А, 5 шт.

Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R125CPXKSA1 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Комплект состоит из 5 штук в корпусе PG-TO220-3 с технологией CoolMOS™ CP.

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
• Напряжение сток-исток: 600 В
• Ток стока: 25 А
• Рассеиваемая мощность: 208 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 0,125 Ом
• Корпус: PG-TO220-3, монтаж THT
• Технология: CoolMOS™ CP
• Количество в комплекте: 5 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 600 В и постоянный ток стока 25 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 0,125 Ом. Максимальная рассеиваемая мощность равна 208 Вт, а допустимое напряжение затвор-исток — ±20 В.

Монтаж и корпус

Компонент выполнен в корпусе PG-TO220-3, что предусматривает монтаж в отверстия (THT). Транзистор изготовлен по технологии CoolMOS™ CP. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В. Канал транзистора является обогащаемым.