Транзистор N-MOSFET Infineon IPN80R1K4P7, 800В, 2,7А, SOT223 (IPN80R1K4P7ATMA1) — набор 20 шт.
2 500 ₴
- В наличии
- Код: TM112601
Транзистор N-MOSFET Infineon IPN80R1K4P7 — это полупроводниковый прибор с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 800 В и ток 2,7 А. Компонент выполнен в корпусе PG-SOT223 для поверхностного монтажа (SMD) и поставляется комплектом из 20 шт.
- Тип: N-MOSFET с каналом обогащения
- Напряжение сток-исток: 800 В
- Ток стока: 2,7 А
- Корпус: PG-SOT223 (SMD)
- Технология: CoolMOS™ P7
- Комплектация: 20 шт.
Технология и защита ESD
Прибор изготовлен по технологии CoolMOS™ P7. Компонент имеет версию ESD.
Электрические параметры
Максимальное напряжение между истоком и стоком составляет 800 В, а постоянный ток стока — 2,7 А. Сопротивление в открытом состоянии равно 1,4 Ом, что определяет тепловые потери при работе. Мощность рассеивания ограничена 7 Вт, а заряд затвора — 10 нКл.
Монтаж и корпус
Компонент предназначен для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе PG-SOT223. Полярность транзистора — униполярная, тип канала — обогащенный. Напряжение между затвором и истоком составляет ±20 В.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 7 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 800 В |
| Максимально допустимый ток стока | 2.7 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1400 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | PG-SOT223 |
| Технология | CoolMOS™ P7 |
- Цена: 2 500 ₴